Новости электроники и микроэлектроники

Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

НИИЭТ вошел в реестр дизайн-центров России

10 сент. 2021 г., 09:15 | 764

АО «НИИЭТ» получил официальный документ, подтверждающий, что предприятие включено в реестр отечественных дизайн-центров.

Мы официально стали дизайн-центром, удовлетворяющим условиям для включения в соответствующий реестр. Теперь у нас должен появиться доступ к различным льготам и мерам поддержки от государства, созданных для такого рода площадок, — отметил технический директор НИИ электронной техники Игорь Семейкин.

На предприятии в данный момент проводится разработка серии ультранизкопотребляющих микроконтроллеров обладающих широким функционалом, процессорным ядром открытой архитектуры RISC-V. Изделие будет первым в России микроконтроллером такого класса и одним из первых в мире ультранизкопотребляющим контроллером на данной архитектуре. Планируется, что цена микроконтроллеров будет составлять около 200 рублей за штуку при заказе от 100 000 единиц.

По результатам анализа рынка и предварительным переговорам с потенциальными потребителями ожидается большой спрос на разрабатываемые микроконтроллеры, обусловленный тем, что сейчас на первое место выходят вопросы энергопотребления, связанные с ростом популярности приложений, с батарейным питанием и возможностью широкого внедрения беспроводной связи.

Кроме того, в разработке сейчас также транзисторы для цифровых телевизионных передатчиков. Их производство позволит закрыть потребность отечественного рынка в ЭКБ для цифрового телевидения. Реализованные на их основе в рамках сквозного проекта отечественные телевизионные передатчики позволят заменить парк устаревших цифровых телевизионных передатчиков иностранного производства, тем самым обеспечив техническую независимость в столь чувствительной сфере, решить сложные вопросы сервиса и ремонта, связанные с эксплуатацией импортного оборудования российской телерадиовещательной сети, повысить надежность радиоаппаратуры цифрового ТВ-вещания. Выходная мощность данных транзисторов составит в пике огибающей 140Вт и 1000 Вт при напряжении питания 50В в диапазоне частот 400-860 МГц.