Новости электроники и микроэлектроники

Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

Первый российский Доггерти-транзистор включен в реестры Минпромторга

02 июля 2025 г., 08:55 | 76

Мощный линейный LDMOS-транзистор КП9171БС, разработанный НИИ электронной техники внесен в реестр российской промышленной продукции (ПП РФ № 719) и Единый реестр радиоэлектронной продукции (ПП РФ № 878) Минпромторга России.

Изделие является первым отечественным Доггерти-транзистором и представляет собой аналог изделия BLF989Е фирмы Ampleon. Конструкция транзистора с ведущим и ведомым плечом обеспечивает наибольший коэффициент полезного действия усилителя мощности сигнала стандартов DVB-T /DVB-T2 со сложным характером модуляции и большим пик-фактором.

Поддержка отечественных производителей через реестр промышленной продукции способствует замещению импортных товаров на российском рынке и подтверждает, что продукция произведена в России, это необходимо для участия в государственных закупках.

АО «НИИЭТ» разрабатывает серию СВЧ кремниевых LDMOS-транзисторов нового поколения, предназначенных для использования в усилительных каскадах передатчиков цифрового телевизионного сигнала.

Гарантийный срок эксплуатации передатчиков телевизионного сигнала, произведенных в рамках федеральной целевой программы «Развитие телерадиовещания в Российской Федерации на 2009-2018 годы» уже подходит к концу. Помимо длительной наработки транзисторов, входящих в состав данных передатчиков, наступает также моральное устаревание самих передатчиков.

Транзисторы специально спроектированы для усиления цифрового телевизионного сигнала. Данные транзисторы имеют повышенный коэффициент полезного действия и улучшенную линейность по сравнению с мощными СВЧ-транзисторами общего применения в режиме усиления цифрового телевизионного сигнала стандарта DVB-T2.

Основная область применения — усилители телевизионных сигналов, но передовые характеристики мощных линейных LDMOS-транзисторов позволят улучшить с их помощью параметры и другой радиоаппаратуры, такой, как системы радиолокации и навигации.

Технология LDMOS (Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor – металл-оксид-полупроводник с боковой диффузией) существует уже много лет и хорошо зарекомендовала себя в области мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов. Она позволяет создавать приборы с выходной мощностью до нескольких киловатт на частотах до 1 ГГц и 100 Вт и выше на более высоких частотах. В АО «НИИЭТ» технология LDMOS была освоена в 2006 году. За прошедшее время на рынке было представлено более 50 типономиналов ВЧ и СВЧ LDMOS-транзисторов разработки предприятия.

В 2024 году LDMOS-транзисторы КП9171А и КП9171БС получили награду Премия Electronica, вручаемую в рамках выставки ExpoElectronica-2024 в категории «Электронная компонентная база».

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей

События