Учёные из Японии сделали память, которая в 250 раз быстрее нынешней DRAM: антиферромагнетик тримарганец-олово переключается всего за 40 пикосекунд
Изображение сгенерировано Gemini
Учёные из Университета Токио и крупнейшего государственного научно-исследовательского института Японии (RIKEN) сообщили о прорыве в области создания памяти нового поколения. Им удалось переключать магнитное состояние материала Mn3Sn (антиферромагнетик тримарганец-олово) электрическим импульсом длительностью всего 40 пикосекунд (примерно в 250 раз меньше 10 наносекунд для внутреннего доступа к ячейке памяти DRAM.) Это открывает путь к появлению сверхбыстрой памяти с низким энергопотреблением.
Сейчас при попытке ускорить работу CPU и GPU резко растут нагрев и расход энергии. В новой разработке исследователи использовали другой принцип — spin-orbit torque: он позволяет менять магнитное состояние материала очень быстро при минимальном выделении тепла.
Учёные также показали, что переключение можно выполнять не только электричеством, но и сверхкороткими световыми импульсами. Для этого использовались лазер и фотоэлектрический преобразователь. Фактически исследователи продемонстрировали базовую схему, где свет напрямую участвует в записи данных в энергонезависимую память. Это направление считается одним из перспективных для будущих вычислительных систем, где оптика и электроника будут работать вместе.
По мнению авторов работы, технология может стать основой для новых типов памяти и сверхбыстрых энергоэффективных вычислительных устройств, особенно в системах, где важны минимальные задержки и низкое тепловыделение.
Источник: https://www.ixbt.com/news/2026/05/16/250-dram-40.html
18-05-2026 14:40 56
Industry Hunter
только что