Следите за нами в социальных сетях:

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям
我们在俄罗斯为中国公司做广告
Новости электроники и микроэлектроники
Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

Globalfoundries и SiFive работают над интеграцией памяти HBM2E в однокристальные системы, изготавливаемые с применение техпроцесса 12LP+

| 658

Компании Globalfoundries и SiFive объявили, что разрабатывают решение, которое позволит оснащать высокоскоростной памятью HBM2E однокристальные системы, рассчитанные на выпуск с применением недавно представленного Globalfoundries техпроцесса 12LP+. Этот техпроцесс построен на использовании транзисторов FinFET и оптимизирован по критерию энергопотребления продукции. Интеграция будет обеспечиваться с помощью технологии объемной компоновки 2.5D. Предполагается, что однокристальные системы с памятью HBM2E будут востребованы в задачах искусственного интеллекта.

Основой разработки является настраиваемый интерфейс памяти SiFive с высокой пропускной способностью, оптимизированный для платформ 12LP и 12LP+.  Разработчикам будет предоставлен доступ к портфелю IP-ядер SiRive RISC-V и экосистеме DesignShare IP, что позволит воспользоваться преимуществами оптимизации, повысить эффективность проектирования и с минимальными затратами выпускать различные варианты SoC.

Разработку планируется завершить в первом полугодии 2020 года.

 

 

Источник: https://www.ixbt.com/news/2019/11/08/globalfoundries-sifive-hbm2e-12lp.html

 

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей