Следите за нами в социальных сетях:

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям
Новости электроники и микроэлектроники
Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

Председатель совета директоров ПАО «Микрон» избран президентом РАН

| 133

Российская академия наук сообщила во вторник об избрании президентом РАН Геннадия Красникова – академика РАН, генерального директора АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», председателя совета директоров ПАО «Микрон».

В результате голосования на общем собрании членов РАН Красников получил 871 голос, 397 человек проголосовали против. Второй кандидат, Дмитрий Маркович (директор ФГБУН Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, академик РАН), получил 397 голосов «за» и 871 голос «против».

Бывший президент РАН Александр Сергеев снял свою кандидатуру до голосования.

Главное на сегодня — быстро наладить связь с правительством, чтобы рассмотреть, как академия наук может более эффективно работать в сегодняшних условиях, в том числе для решения задачи технологической независимости, — сказал Красников во вторник после подведения итогов голосования.

Президент РАН избирается сроком на пять лет, один и тот же человек не может быть избран более двух раз подряд. Избранного президента РАН утверждает и освобождает от должности президент России.

 

Справка

Геннадий Яковлевич Красников родился 30 апреля 1958 года в Тамбове. Учился в тамбовской специализированной математической школе (ныне лицей) №29.

В 1981 году с отличием окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники (ныне Национальный исследовательский университет «МИЭТ») по специальности «автоматика и электроника». Заочно обучался в аспирантуре МИЭТ.

Доктор технических наук, профессор. В 1990 году в МИЭТ защитил кандидатскую диссертацию, в 1996 году в НИИ молекулярной электроники – докторскую диссертацию (тема: «Физико-технологические принципы и методы обеспечения качества КМОП БИС (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник больших интегральных схем – ред.) массового производства»).

В 1997 году избран членом-корреспондентом, в 2008 году – академиком РАН по отделению нанотехнологий и информационных технологий (ОНИТ).

С 1981 года – инженер, с 1983 году – ведущий инженер лаборатории в НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ) в Зеленограде (ныне Зеленоградский административный округ столицы). Одновременно с 1983 года был конструктором и технологом на опытном заводе «Микрон» НИИМЭ. В 1984 году назначен начальником ведущего цеха, а в 1985 году – председателем совета начальников цехов завода. Затем занимал должности начальника внутрипроизводственного объединения подразделений, заместителя главного инженера (1987), заместителя гендиректора по производству (1988) завода «Микрон».

В июле 1991 году возглавил НИИМЭ и завод «Микрон». После их объединения в 1994-2016 гг был гендиректором АООТ «НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» (впоследствии ОАО «НИИМЭ и Микрон», с 2016 – ПАО «Микрон»).

С 2016 года по н. в. – генеральный директор АО «НИИМЭ» (дочерняя структура ПАО «Микрон»). Одновременно является председателем совета директоров ПАО «Микрон» и АО «НИИ ТМ» (НИИ точной механики, Санкт-Петербург).

В 2016 году решением президента РФ Владимира Путина Геннадий Красников был наделен полномочиями руководителя приоритетного технологического направления по электронным технологиям, а АО «НИИМЭ» стало головным предприятием по этому направлению.

В сентябре 2017 году участвовал в выборах президента РАН, был одним из пяти кандидатов. В первом туре получил 269 голосов (16,85%), заняв третье место. Во втором туре президентом РАН был избран Александр Сергеев.

С сентября 2017 года – член президиума РАН, с 2019 года академик-секретарь ОНИТ РАН.

Является специалистом в области физики полупроводников, диэлектриков и гетероструктур на их основе, микро- и наноэлектроники, технологии создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемам обеспечения качества их промышленного производства. Научные достижения Геннадия Красникова легли в основу создания более 200 типов микросхем, которые ранее выпускались за пределами РФ. Под его руководством в Зеленограде создан комплекс по разработке и промышленному производству микросхем, которые в дальнейшем стали использоваться при реализации проектов в области телекоммуникации и связи, медицины и транспорта, космической и авиационной техники, национальной банковской системы и др.

Автор и соавтор более 400 научных работ, четырёх монографий, более 40 авторских свидетельств и патентов.

Главный редактор журналов «Микроэлектроника» «Электронная техника. Серия микроэлектроника», «Интеллект&Технологии».

Был доверенным лицом кандидата на должность президента РФ Владимира Путина (2012).

Награжден орденами Почета (1999), «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008), Дружбы (2014), Александра Невского (2018).

Лауреат Государственной премии РФ 2014 года в области науки и технологий («за разработку полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами для современного микроэлектронного производства»), а также премий правительства РФ в области науки и техники (1999, 2009, 2019).

В число его наград входит медаль ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» (2016).

Иностранный член Национальной академии наук Белоруссии (2021), почетный доктор Санкт-Петербургского национального исследовательского академического университета РАН (2015).

 

 

Источник: https://d-russia.ru/predsedatel-soveta-direktorov-pao-mikron-izbran-prezidentom-ran.html

 

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей