Новости электроники и микроэлектроники

Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

Samsung начинает массовое производство 14-нанометровой памяти DRAM DDR5 с применением EUV

13 окт. 2021 г., 10:20 | 346

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 14-нанометровой памяти DRAM с применением фотолитографии в жёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). В марте прошлого года компания поставила первую в отрасли память EUV DRAM. С тех пор количество слоёв, формируемых с помощью EUV, увеличено до пяти. По словам производителя, это наиболее передовой техпроцесс в отрасли.

Он обеспечивает максимальную на сегодняшний день плотность хранения, позволяя получить с одной пластины примерно на 20% больший объём памяти. Кроме того, 14-нанометровый техпроцесс может помочь снизить энергопотребление почти на 20% по сравнению с предыдущим поколением.

По словам Samsung, новая память поможет получить «беспрецедентные скорости» до 7,2 Гбит/с, более чем вдвое превышающие максимальную скорость DDR4, равную 3,2 Гбит/с.

Samsung планирует выпускать новую память DDR5 для центров обработки данных, суперкомпьютеров и корпоративных серверов. Кроме того, запланировано увеличение плотности кристаллов до 24 Гбит.

Источник: https://www.ixbt.com/news/2021/10/12/samsung-14-dram-ddr5-euv.html

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей

События