Следите за нами в социальных сетях:

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям
我们在俄罗斯为中国公司做广告
Новости электроники и микроэлектроники
Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

Переход на 2 нм. Samsung скупает установки для производства микросхем, каждая стоит от 210 млн по 400 млн долларов

| 43

Фото ASML

 

Компания Samsung намерена значительно расширить парк оборудования для выпуска микросхем методом литографии в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (EUV) и приобрести новую партию установок, включая самые передовые системы High NA. Эти шаги направлены на ускорение перехода к массовому производству по 2-нм техпроцессу.

Отдел хранения данных компании установит пять комплектов стандартного EUV-оборудования, создав независимую производственную линию. Ранее фабрики по производству пластин и подразделение хранения в Пхёнтхэке использовали общее оборудование.

Кроме того, Samsung добавит два комплекта литографической техники High NA EUV — одну установку планируется ввести в эксплуатацию в конце 2025 – начале 2026 года. Один комплект появится на заводе в Хвасоне, а второй, вероятно, будет размещён на площадке по производству пластин в Тейлоре.

Стоимость одного комплекта стандартной установки EUV оценивается в 210 млн долларов, оборудования High NA EUV — примерно в 400 млн долларов. Совокупные инвестиции компании в новое оборудование достигнут 1,8 млрд долларов.

Технология High NA EUV обеспечивает до 1,7 раза более точную топологию схем, почти в три раза более высокую плотность транзисторов и повышение оптической точности на 40% по сравнению с классическими системами EUV.

 

 

Источник: https://www.ixbt.com/news/2025/10/20/2-samsung-210-400.html

 

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей