Следите за нами в социальных сетях:

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям
我们在俄罗斯为中国公司做广告
Новости электроники и микроэлектроники
Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

По словам главы TSMC, рисковое производство по нормам 3 нм начнется в этом году

| 406

Компания TSMC осваивает 3-нанометровый техпроцесс в соответствии с ранее намеченным графиком. Об этом в ходе пресс-конференции, посвященной итогам квартала, сообщил ее генеральный директор Си Си Вэй (C. C. Wei). Он уточнил, что рисковое производство продукции по нормам 3 нм начнется в этом году, а во второй половине будущего года производитель рассчитывает развернуть массовое производство.

Разработка технологии N3 идет по плану полным ходом, — приводит источник слова главы TSMC. — И мы видим намного более высокий интерес заказчиков к N3 применительно к суперкомпьютерам и смартфонам по сравнению с N5 и N7 на подобном этапе.

Подтвердилась предварительная информация, что капиталовложения TSMC в 2021 году превысят 20 млрд долларов. Более того, сумма, обозначенная в ходе пресс-конференции, оказалась намного больше — компания планирует выделить 25-28 млрд долларов.

 

На вопрос, связано ли увеличение капвложений с заказами Intel, Вэй сказал, что компания не комментирует конкретных клиентов и заказы.

Интенсивность капитальных вложений TSMC остается высокой из-за сложности технологии, — так объяснил увеличение суммы генеральный директор. По его словам, основной причиной увеличения капиталовложений являются расходы на оборудование для EUV-литографии.

 

 

Источник: https://www.ixbt.com/news/2021/01/15/po-slovam-glavy-tsmc-riskovoe-proizvodstvo-po-normam-3-nm-nachnetsja-v-jetom-godu.html

 

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей