Следите за нами в социальных сетях:

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям
我们在俄罗斯为中国公司做广告
Новости электроники и микроэлектроники
Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

Представьте себе память, столь же быструю, как HBM, но с объёмами NAND. SanDisk анонсировала именно такую — High Bandwidth Flash (HBF)

| 282

Отделившаяся от Western Digital компания SanDisk представила то, что должно позволить ей откусить кусочек от горячего рынка ИИ. Речь о новом типе памяти.

Компания показала новую архитектуру памяти, которую называет флэш-памятью с высокой пропускной способностью. Она фактически объединяет огромную емкость хранения 3D NAND с пропускной способностью HBM.

Речь тут идёт о сложении 16 слоев новейших кристаллов 3D NAND, используя крошечные конвейеры данных, называемые сквозными кремниевыми переходами. Также есть специальный логический слой, который может параллельно записывать данные в отдельные подмассивы NAND и из них. Это приводит к тому, что HBF упаковывает в 8–16 раз больше емкости на стек, чем сегодняшние реализации HBM.

В частности, компания в виде примера показала систему с восемью стеками HBF, которая может обеспечить колоссальную емкость в 4 ТБ, что недостижимо для современной HBM. Впрочем, одно из основных ограничений NAND относительно HBM у новой памяти тоже остаётся — это заметно более высокие задержки. Но для задач ИИ это и не особо важно, а для потребительских игровых решений такую память всё равно использовать не будут.

 

 

Источник: https://www.ixbt.com/news/2025/02/15/hbm-nand-sandisk-high-bandwidth-flash-hbf.html

Фото: SanDisk

 

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей