Следите за нами в социальных сетях:

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям
我们在俄罗斯为中国公司做广告
Новости электроники и микроэлектроники
Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

Samsung объявляет о доступности проверенной в кремнии технологии объемной компоновки X-Cube для микросхем, изготовленных по нормам 7 и 5 нм

| 319

Компания Samsung Electronics объявила о доступности проверенной в кремнии технологии объемной компоновки интегральных микросхем eXtended-Cube или X-Cube для самых современных технологических узлов — 7 и 5 нм. Используя технологию сквозных переходных отверстий в кристаллах (TSV), X-Cube обеспечивает значительный скачок в скорости и энергетической эффективности, помогая удовлетворить строгие требования к производительности приложений следующего поколения, включая 5G, искусственный интеллект, суперкомпьютерные вычисления, а также мобильную и носимую электронику.

Используя X-Cube, разработчики микросхем могут гибко сочетать кристаллы в специализированных решениях, наилучшим образом отвечающих требованиям конкретной задачи. В тестовом изделии, изготовленном по нормам 7 нм, технология TSV используется для размещения кристалла памяти SRAM поверх кристалла с логическими цепями. Благодаря объемной компоновке обеспечивается значительное сокращение путей прохождения сигнала между кристаллами, что позволяет получить максимальную скорость и энергоэффективность. Кроме того, высвобождается место на плате и появляется возможность увеличить объем памяти.

Более подробная информация о Samsung X-Cube будет представлена ??на Hot Chips, ежегодной конференции по высокопроизводительным вычислениям, которая будет транслироваться в прямом эфире с 16 по 18 августа.

 

 

Источник: https://www.ixbt.com/news/2020/08/13/samsung-x-cube-7-5.html

 

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей