Следите за нами в социальных сетях:

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям
我们在俄罗斯为中国公司做广告
Новости электроники и микроэлектроники
Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

Samsung планирует производить полузаказную память HBM, используя самый современный техпроцесс 2 нм для логической микросхемы

| 50

Фото TrendForce

 

Компания Samsung работает над тем, чтобы производить определённую часть памяти HBM по самому современному техпроцессу 2 нм, что позволит создавать более конкурентоспособный продукт на фоне решений Hynix и Micron.

Для начала нужно сказать, что речь идёт о производстве логических микросхем, используемых для создания стеков HBM. Они лежат в основе стека и используются для управления. Начиная с HBM4, которая появится в ускорителях для ИИ уже в этом году, логические микросхемы изготавливаются с использованием литейного процесса, а не традиционного процесса производства DRAM.

Что касается техпроцесса, для примера, логическая микросхема HBM4 у Samsung, предположительно, основана на 4-нанометровом техпроцессе, вероятно, выбранном из семейства SF4. Для сравнения, Hynix использует нормы 12 нм на мощностях TSMC.

Samsung хочет внедрить ещё более современный техпроцесс в том числе для создания полузаказных решений, если их можно таковыми назвать. В данном случае под этим подразумевается подход, при котором специфические для заказчика функции адаптируются и интегрируются непосредственно в логический кристалл. Это позволит Samsung предложить клиентам то, что не предлагают конкуренты.

 

 

Источник: https://www.ixbt.com/news/2026/01/22/samsung-hbm-2.html

 

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей