Следите за нами в социальных сетях:

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям
Новости электроники и микроэлектроники
Подпишитесь на еженедельную рассылку сегодня, чтобы не пропустить самые интересные новости и события отрасли, анонсы выставок, конференций и семинаров, а также информацию о пополнении нашей Базы знаний. Это бесплатно и вы сможете отказаться в любой момент!

Samsung рассчитывает догнать TSMC за два года

| 194

По сообщению источника, компания Samsung выделяет 116 млрд долларов на развитие следующего поколения полупроводникового производства, рассчитывая в течение двух лет устранить отставание от лидера отрасли, тайваньской компании TSMC.

Южнокорейский гигант планирует в 2022 году серийно выпускать 3-нанометровые микросхемы. Об этом сообщил на закрытом мероприятии один из руководителей компании. Совместно с ключевыми партнерами производитель уже создает инструментарий для проектирования таких микросхем.

В случае успеха Samsung станет более привлекательным производственным партнером для таких компаний как Apple и AMD, которые сейчас полагаются на TSMC. Дело в том, что TSMC тоже рассчитывает освоить серийный выпуск 3-нанометровой продукции в 2022 году, точнее говоря, во втором полугодии 2022 года. Однако Samsung планирует использовать более перспективную технологию транзисторов — Gate-All-Around (GAAFET), а не FinFET, в пользу которой сделала выбор TSMC. Ожидается, что технология Gate-All-Around позволит повысить плотность компоновки и уменьшить энергопотребление.

В 2019 году TSMC принадлежало более половины рынка контрактного производства полупроводниковой продукции, Samsung — 18%. Реализация планов Samsung может привести к радикальному изменению этого соотношения.

 

 

Источник: https://www.ixbt.com/news/2020/11/19/samsung-rasschityvaet-dognat-tsmc-za-dva-goda.html

 

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей