Следите за нами в социальных сетях:

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям
我们在俄罗斯为中国公司做广告
Новости электроники и микроэлектроники
Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

Ученые из Новосибирска придумали новую память: материалы НГУ для мемристоров работают лучше, чем флеш-память в гаджетах

| 244

Ученые из Новосибирского государственного университета (НГУ) создали новые материалы из кремний-германиевых стекол, которые могут стать основой для памяти будущего. Эти материалы предназначены для так называемых мемристоров — элементов памяти нового поколения, которые по многим параметрам лучше современной флеш-памяти, используемой в телефонах, компьютерах и USB-накопителях.

Мемристоры, разработанные в НГУ, могут выдерживать гораздо больше циклов записи и стирания данных, хранить больше информации и работать быстрее, чем флеш-память. Если флеш-память уже достигла своего предела и не может стать лучше, то мемристоры открывают совершенно новые возможности для хранения данных. Это значит, что устройства с такой памятью будут надежнее, долговечнее и эффективнее.

Команда НГУ стала первой в мире, кто обнаружил особый "эффект памяти" в кремний-германиевых стеклах и изучила их свойства, связанные с электричеством и светом. В будущем ученые планируют продолжить исследования, чтобы найти лучшие настройки для мемристоров, не создавая при этом их физические модели.

 

 

Источник: https://www.ixbt.com/news/2025/03/21/uchenye-iz-novosibirska-pridumali-novuju-pamjat-materialy-ngu-dlja-memristorov-rabotajut-luchshe-chem-fleshpamjat-v.html

Изображение сгенерировано Kandinsky

 

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей