Следите за нами в социальных сетях:

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям
Новости электроники и микроэлектроники
Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

В России создали улучшенные элементы памяти для гибкой электроники, облучив ионами ксенона фторированный графен

| 79

Российские учёные облучили ионами ксенона фторированный графен, удалив фтор и создав проводящие квантовые точки в матрице изолирующего материала. После чего были созданы мемристоры — элементы памяти, которые применяются для создания гибких датчиков в носимой электронике и прочих отраслях.

Работу провели сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН), научной группы под руководством доктора наук Ирины Антоновой, Объединённого института ядерных исследований (ОИЯИ), Новосибирского государственного технического университета, Университета Николая Коперника (Польша).

Это продолжение работы специалистов ИФП СО РАН по созданию элементов памяти для гибкой электроники на основе соединений графена. Ранее они создали мемристоры, модифицируя графен химическим путём с целью получить систему квантовых точек в матрице фторированного графена. Новый способ позволяет более контролируемо добиться создания нужной для работы мемристоров системы.

Мемристор по своим свойствам похож на синапс — место контакта двух нейронов. В отличие от транзистора, мемристор способен не только передавать информацию в режиме «0» или «1», а ещё и присвоить ей уровень значимости. Мемристоры способны «запоминать» количество протёкшего через них заряда и менять своё сопротивление в зависимости от этого. Если подать высокое напряжение, мемристорная система станет открытой — будет проводить электрический ток, а при смене полярности напряжения закроется.

Наши дальнейшие планы работы с новым материалом — показать, как взаимодействуют ячейки памяти в массиве, для этого мы сделаем небольшие логические электронные схемы: “И”, “Не”, “Или”. Существует множество параметров, на которые может влиять соединение ячеек, и нам нужно проверить, как будут мемристоры чувствовать себя в системе из нескольких элементов, — поясняет автор исследования, научный сотрудник лаборатории физики и технологии трёхмерных наноструктур ИФП СО РАН кандидат физико-математических наук Артём Иванов.

Исследования по созданию энергонезависимой памяти для гибкой электроники ведутся во всём мире. Артём Иванов отметил, что обычно такую память пытаются сделать на основе оксида графена и полимерных материалов, дихалькогенидов металлов.

 

 

Источник: https://www.ixbt.com/news/2022/06/22/v-rossii-sozdali-uluchshennye-jelementy-pamjati-dlja-gibkoj-jelektroniki-obluchiv-ionami-ksenona-ftorirovannyj-grafen.html

 

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей