Здесь мы собираем самые интересные статьи, интервью, репортажи и многое другое. Зарегистрируйте личный кабинет и вам будет открыт полный доступ
Быстрее, меньше, точнее. Новая серия установок безмасковой литографии Miva
Сергей Леванов, руководитель проектов по микроэлектронике s.levanov@dipaul.ru
Установки безмасковой литографии Miva 2030X/2060X немецкого производителя Miva Technologies действуют по принципу растровой проекционной литографии и позволяют как изготавливать фотошаблоны, так и работать напрямую без шаблона с партиями подложек. В ходе различных экспериментов, совместно с заказчиками, выполненных на отечественных материалах, удалось добиться превосходных результатов для типичных задач литографии в области микроэлектроники, с которыми сталкиваются российские предприятия: изготовление фотоэмульсионных, хромовых и железоокисных фотошаблонов, а также прямое экспонирование покрытых фоторезистом подложек.
Опыт эксплуатации нашими заказчиками машин серии 20XXX говорит о том, что для некоторых из них область экспонирования размером 500×600 мм не столь важна, как точность совмещения и максимальное разрешение. Поэтому для тех, кто в меньшей степени интересуется серийностью производства и в большей областью экспонирования, специалисты компании «Диполь» совместно с инженерами Miva Technologies создали новую линейку установок 12ХХХ с уменьшенным размером рабочей зоны (до 300×300 мм). Такая конфигурация установки позволяет получить оптимальное решение для работы с поликором и полупроводниковыми материалами на высоком разрешении печати (до 1 мкм).
Рис. 1. Установка MIVA новой линейки 12ХХХ
Помимо измененной конфигурации рабочего стола, установки новой линейки 12XXX отличают более высокая стабильность позиционирования модуля экспонирования. Этих показателей удалось добиться благодаря развязке осей X и Y на разные исполняющие механизмы: за перемещение оси Y отвечает координатный стол, по оси Х модуль двигается по гранитной направляющей. Таким образом достигаются идеальное качество края элементов топологии и прецизионная точность совмещения.
За счет уменьшения размеров рабочего стола установка стала компактней: занимаемая площадь составляет примерно 1м2, при этом ей не требуются дополнительные инженерные системы (насосы, чиллеры и т. д.) — только электричество и сжатый воздух. Стандартное требование класса чистоты ИСО6 упрощено до ИСО7 благодаря встроенной системе воздушной фильтрации с HEPA-фильтром и принудительной вентиляции для создания избыточного давления и удаления пыли из рабочего объема. Снижены и требования к вибрациям в помещении, где расположено данное оборудование. Теперь, с добавлением специальных демпферных вставок в опоры основной вибропоглощающей гранитной плиты, установку можно размещать не только не на развязанном фундаменте, но и даже не на первом этаже зданий!
Рис 2. Установка 12XXX: все в одном корпусе, занимаемая площадь порядка 1м2
В итоге установки новой линейки 12ХХХ при меньшей стоимости обеспечивают те же показатели производительности, что и установки 20ХХХ, являясь при этом более точными и неприхотливыми. Значительно упростившиеся требования к размещению и подключению позволяют оптимально использовать новинку в исследовательских лабораториях, институтах, на производствах с мелкими и средними партиями и большой номенклатурой. С появлением Miva серии 12XXX, серия установок безмасковой литографии Mask Writer полностью закрывает весь спектр технологических потребностей производителей микроэлектроники в области прямого экспонирования, предоставляя возможность лабораториям и опытным производствам быстро подстраиваться под изменившиеся задачи и условия, а серийным производствам обеспечивать высокую производительность.
Таблица 1. Сводная таблица установок безмасковой литографии серии Mask Writer
Официальный сайт Группы компаний "Диполь": www.dipaul.ru
Понравилась статья? Поставьте лайк
Микроэлектроника Производство кристаллов Литография Установка безмасковой литографии Miva Technologies
Читайте также
07-12-2018 4120
Электрофизические свойства электронных изделий во многом зависят от свойств материала (Si, GaAs, GaN, SiC и т. д.) который используется для их создания, и определяют область применения