Новости электроники и микроэлектроники

Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

Прорыв в полупроводниках приближает эру 6G: ученые раскрыли «эффект фиксатора» в нитриде галлия

26 мая 2025 г., 09:00 | 175

Международная группа инженеров и ученых открыла способ значительного повышения производительности полупроводников на основе нитрида галлия (GaN). Эти инновации особенно актуальны в контексте подготовки к шестому поколению мобильной связи — 6G.

Переход от 5G к 6G предполагает кардинальное увеличение скорости передачи данных, что критически важно для таких технологий, как автономный транспорт, иммерсивная виртуальная реальность и моментальная медицинская диагностика. Всё это требует устройств, способных обрабатывать огромные объемы информации на сверхвысоких частотах.

Исследователи представили новую архитектуру радиочастотных усилителей на базе нитрида галлия. Ключом к прорыву стал так называемый «эффект фиксатора» — ранее неизвестное физическое явление, обеспечивающее стабильное управление током на высоких частотах.

Команда протестировала особый тип транзисторов — полевые транзисторы с эффектом сверхрешетки (SLCFET), в которых движение тока направляют более тысячи наноребер шириной менее 100 нанометров. Эти компоненты показали рекордную производительность в W-диапазоне (75–110 ГГц) — частотах, на которых будут работать сети 6G.

Мы наблюдали совершенно новый физический эффект, возникающий в структуре GaN. Это открыло путь к стабильной и высокочастотной работе устройств, — отметил профессор Мартин Кубалл из Университета Бристоля, один из авторов исследования.

В дальнейшем команда локализовала точку возникновения эффекта фиксатора и разработала 3D-модель, чтобы подтвердить теоретические расчёты. В ходе долгосрочного тестирования устройство показало не только отличную производительность, но и устойчивость к нагрузкам — никаких признаков деградации со временем выявлено не было.

Одним из важных факторов стабильности оказалось тонкое диэлектрическое покрытие вокруг каждого наноребра, обеспечивающее стабильное распределение электрического поля.

Этот фундаментальный прорыв ведет к созданию энергоэффективных, многофункциональных чипов нового поколения — основ будущей вычислительной техники, квантовых систем и, конечно же, сетей 6G.

Источник: https://www.ixbt.com/news/2025/05/24/proryv-v-poluprovodnikah-priblizhaet-jeru-6g-uchenye-raskryli-jeffekt-fiksatora-v-nitride-gallija.html

Изображение сгенерировано Kandinsky

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей

События